GATR-FTIR测试聚积刷新

聚合刷系统由聚合链定序组件组成,这些链片最终吸收或嵌入接口和表层一个或多个链点

过去几年中,人们越来越有兴趣编造这些表面固定薄膜,因为这些薄膜大量用于多种应用,如受控基因/药交付、热响应粘合器、纳米模式、面性裁剪、微电子学和生物医学设备

为了从平面硅面生成聚合刷子,必须在表面发生多重反应,以便高效化二分层并带活动点并产生这些活动点聚合

与其他FTIR方法相比,草角减总反射法(GATR)-Fourier变红外光谱分析特别有益,因为它能直接从Silica wafer子串收集光谱,而不会对表层功能或对适当基子的要求造成任何损害,如硅ATR晶体(图1)。

文章分析GATR-FTIR用聚合刷薄膜对Silicara提高敏感度需要光学接触ATR晶体和样本

图1GATRGE-ATR附属

实验

所有子串均先用30:70 v/v过氧化和富含硫酸溶解法清洗,以清除Czraclaki生成<111>Si wifers上的任何表面污染之后,11碳三级溴丁化物启动器沉入无水合金溶液中,如图2a所示,清洗后Si微博

图2反射序列编译平面单片刷

甲基氯化物、甲醇和甲苯相继使用来净化微粒GATR-FTIR光谱解析8cm^-1256样本扫描64背景扫描

原存溴启动器样本接受修改原子移植响应,以便将终端溴转换成二叉底组(图2b)。斯佩克特拉采集并擦干

单片聚合物和二块聚合物刷聚聚二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二联二清理样本后收集GATR-FTIR光谱

结果与讨论

图3a显示GATR-FTIR封装溴化器频谱显示峰值约2930和2850cm^-1C-H伸展和CH分配₂伸展振动和峰值约1740cm^-1分配到ester组的碳基伸展振荡

图3GATR-FTIR表层固定式(a)11-C三级启动器和(b)二叉地表结构

沉积和描述溴硅启动器后,对ATA进行了定制响应,将终端溴转换成二叉底组(图2b)。样本GATR-FTIR频谱继二叉化复合物反应后(图3b)突出显示与不可移动溴素启动谱数微变

C-C平面和C-H平面相对弱化,特别是每个阻塞分子只存在单色环时,并归因于C=S伸展振动发生于指模区域的事实光谱区GATR-FTIR硅片因拉特带和原生二氧化物强吸

合成PSY聚合物刷子以建立半硫化表面对表面启动聚合物效率(图2c)。GATR-FTIR光谱聚合刷(图4)确定PSty的存在,因为1420-1480cm^-1C-H伸展约3100cm^-1.

PSty-B-PMA Diblock共聚物刷子使用PSTY聚合物刷子开发(图2d)。GATR-FTIR光谱验证将MA纳入PSty-B-PMA二块共聚刷开发^-1和增加CH2伸展约2920cm^-1.

图4GATR-FTIRPSY同族聚合刷

图5GATR-FTIR PST-B-PMA二块共聚物刷

连同GATR-FTIR光谱分析器,每个Si wifer系统都特征为x射线光电光谱分析器、goionesy需要一定强度才能建立处理瓦法和ATR晶体之间的良好接触,因此用等量法测量GATR-FTIR采集前后的厚度

因为这些样本的厚度有明显的变化,每个修改步都保留样本动画,主要是为了收集光谱,而不是测量厚度。

结论

GATRGE-FTIR附属件证明是薄膜光谱描述的实用工具,薄膜特征拉伸在1300-3300cm中可见^{- 1}光谱范围反之,指纹区的其他峰值由Si wifer原生二氧化物段遮掩

使用浮点Si线程可以避免问题GATRFTR技术非损耗性,但所需高接触力确实影响聚合刷结构的厚度

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