毕尔巴鄂ESS离子源ECR等离子体研究项目:脉冲电子回旋共振(ECR)等离子体的瞬态效应

脉冲电子回旋共振(ECR)等离子体中的瞬态效应在以下方面具有重要的应用价值:等离子体加工行业、粒子加速器等。总部位于西班牙的ESS Bilbao正在进行一项关于这一主题的研究项目,这是一个与散裂中子产生和加速器技术相关的更大项目的一部分。离子源等离子体研究(T.I.P.S)试验台是一个ECR等离子体发生器,由2.45 GHz和3k W可调功率磁控管供电。这种功率磁控管被开发用于执行研究程序,专门用于与ECR离子源性能相关的等离子体物理学。

诊断设置

诊断设置使用许多免费的方法,如;用于入射和反射功率测量的定向耦合器、朗缪尔探针和真空紫外(VUV)光谱仪(图1)ECR等离子体。具体地说,它揭示了先前看到的等离子体击穿动力学瞬态效应的相似性,即旨在产生2.45 GHz微波放电的高频ECR离子源和经常用于产生单电荷、高电流离子束的多电荷离子。

时间分辨Langmuir探针和VUV光谱诊断的实验视图

图1所示。时间分辨Langmuir探针和VUV光谱诊断的实验视图

朗缪尔探针系统

利用Langmuir探针系统,可以得到估计等离子体电子密度和温度的I-V曲线。探针的尖端是直径为0.5毫米、长度为6毫米的钨丝。为了研究瞬态效应,通过延时发生器将探针与vuv发射测量同步,并根据连续脉冲采集的数据建立I-V曲线。Hiden Analytical公司开发了Langmuir探针驱动电路(ESPion),该电路能够在仅62.5 ns内获取单个I-V点,并重新装备自己,以处理14.6µs的数据。定时信号之间的抖动保持在小于200ns。

每个I-V曲线点表示在固定探头电压下接收到的100多个连续脉冲的平均探头电流。获取一个时间数据点对应的完整I-V曲线需要几分钟。利用麦克斯韦电子能量分布函数(EEDF)计算出电子温度Te由I-V曲线计算得出(图2)。

图2。ESPion Langmuir探针I-V曲线。曲线(a)等离子体击穿对应的典型数据,曲线(b)稳态等离子体条件下(微波脉冲入射后15和60 μs)的典型数据

在微波耦合过程中,出现了一个20 eV的温度峰值,反射功率明显降低。该峰值逐渐减小,最终达到约5 eV的稳态温度,在平顶微波脉冲期间几乎保持恒定。电子密度稳定在1.5 × 10左右16-3这一过程与击穿过程中等离子体的演化有关。这个因素被时间证明了VUV光谱测量,在那里看到了相同的峰值行为,并记录了莱曼带和莱曼-阿尔法发射。

这些信息已经从Hiden Analytical提供的材料中获得,审查和改编。亚博网站下载

有关此来源的更多信息,请访问针孔分析。

引用

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  • 美国心理学协会

    针孔分析。(2020年11月02)。毕尔巴鄂ESS离子源ECR等离子体研究项目:脉冲电子回旋共振(ECR)等离子体的瞬态效应。AZoM。于2021年10月21日从//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=12672检索。

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    针孔分析。毕尔巴鄂ESS离子源的ECR等离子体研究项目:脉冲电子回旋共振(ECR)等离子体的瞬态效应AZoM.2021年10月21日。< //www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=12672 >。

  • 芝加哥

    针孔分析。毕尔巴鄂ESS离子源的ECR等离子体研究项目:脉冲电子回旋共振(ECR)等离子体的瞬态效应AZoM。//www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=12672。(2021年10月21日生效)。

  • 哈佛大学

    希登分析》2020。毕尔巴鄂ESS离子源ECR等离子体研究项目:脉冲电子回旋共振(ECR)等离子体的瞬态效应.viewed september 21, //www.washintong.com/article.aspx?ArticleID=12672。

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