氩或氪稀释CH2F2等离子体氢氟碳离子密度:电荷交换碰撞解离电离生成CH2F+和CHF2+

稀有气体(M)稀释CH的分析2F2利用四极质谱(QMS)研究了等离子体中CHF的形成2+稀释氪(Kr)和CH的离子2F+稀释氩(Ar)的离子。CHF的离子密度2+和CH2F+在CH2F2等离子体。在氩稀释等离子体中,CH占主导地位2F+离子是由于C-F的表观能与Ar之间的解离电离+(图1)。

CH2F2分子解离电离截面。

图1所示。CH的解离电离截面2F2分子。

对于氪稀释的等离子体,CHF占主导地位,导致了碳氢的出现能2+离子,具有类似的电荷交换通道之间的碰撞CH2F2和kr +。根据分析结果,将KR或AR添加到CH2F2等离子体提供了一些控制CHF分数密度的措施2+和CH2F+离子(图2)。

在Kr-和ar稀释的CH2F2等离子体中,单个CH2F+和CHF2+离子组分对总CHxFy+离子密度的影响。

图2。个人CH2F+和瑞士法郎2+总CH的离子分数xFy+Kr-和ar稀释的CH的离子密度2F2血浆。

解离电离途径

水红素核糖具有H原子,而不是氟镍气体中的F原子。涉及C-F和C-H之间键的感兴趣的反应对于反应物种的密度控制至关重要。C-F键的解离导致F原子,其是用于硅(Si)的主要蚀刻剂,而C-H键的解离产生H原子,其允许待沉积在基板表面上的聚合物。为了确保准确的加工,沉积和蚀刻的物种平衡与气相中的解离反应密切相关。

实验采用了双频电容耦合等离子体(CCP)蚀刻反应器,并进行了实验四极质谱计安装在腔室的墙上。与CH的Kr或Ar气体混合物2F2气体被引入反应室,电极使用甚高频(VHF)电源来保存等离子体。

质谱测量正离子的测量

从正离子质谱法获得的测量结果表明CHF2+和CH2F+是主要的正离子。CHF产生的电离途径涉及两个通道2+和CH2F+离子。CH.2F+通过碳氢键或碳氟键的离解。通过解离机制,同时生成F和H原子的中性电荷计数器碎片。当CH的离子密度较大时,应考虑电子间的碰撞2F+用Ar气体稀释的等离子体。离子与CH的稀有气体和分子分子之间的电荷交换碰撞2F2发生的原因是表观能量的位置与Kr (14 eV)和Ar (16 eV)接近。

通过质谱测量中使用的气相诊断法,正在进行持续的研究以阐明等离子体中的解离反应。

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    针孔分析。(2020年11月02日)。氩气或氪或氪稀释的CH2F2等离子体的氢氟烃离子密度:通过电荷交换碰撞中的离防电离产生CH2F +和CHF2 +。AZoM。从Https://www.washintong.com/article.aspx?articled=12671,于7月12日7月12日检索。

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