通过在氩/四氟甲烷（Ar / CF4）和氩/八氟环丁烷（Ar / C-C4F8）气氛中的反应高功率脉冲磁控溅射合成CFX薄膜膜

用八氟环丁烷和四氟甲烷的气氛演示了无定形CF的合成_x通过反应性高功率脉冲磁控溅射（rhipims）薄膜。在工业涂布机中，在400MPa的工艺压力下，在工业涂布机中实现等离子体和其他沉积的表征使用邻离子质谱法，在110℃的基板温度下实现。CF的组成_x通过弹性反冲检测分析，在0.15 < x < 0.35范围内，保持含f反应气体分压从0 mPa到110 mPa。

用正离子质谱法进行等离子体表征

从血浆和过程表征获得的结果与CF的性质相关_x薄膜和从头计算。DFT的计算预测了最重要的前驱种是CF、CF₂, CF_3.， C_2，和F用于Ar/CF混合物的膜生长₄．用于AR / C混合物中存在的碳的放电₄F₈， C₂F₂还预计是重要的。正离子质谱法的平均时间的结果与理论计算一致。c的阳离子⁺,基于“增大化现实”技术⁺, CF⁺, CF^３＋，CF.₂发现+和F +处于丰度（图1A和图1B）。

图1所示。a）和b）：相对离子通量作为A的反应气体部分压力的函数A）AR / C.₄F₈b）AR / CF₄从时刻提取的相应过程的IEDFS中提取。

舰艇的过程表征基于含F的反应气体的分压显示了两种沉积常规;电离级联的进展随着AR / CF中的42MPa的部分压力升高₄等离子体，这导致峰值目标电流的上升和CF的形成₄片段增加，尤其是cf_3.．在C语言中₄F₈在11 mPa以上的等离子体中观察到分压下的电离级联，伴随CF的产生增加。

这两种方法在薄膜的性质上是相同的，主要是在硬度、弹性模量和化学键的结构上。CF的机械反应_x薄膜甚至可以与血浆中大量存在的前体离子相关。在C语言中₄F₈放电，旁边⁺和ar⁺, CF⁺，物种以丰富的数量。CF和CF.⁺有三个悬挂债券，有助于在碳矩阵内构建强的交叉链接。CF的胶片沉积物_x在C语言中₄F₈在更广泛的范围内显示更高的硬度水平（图2）。

图2。对CF的氟含量的硬度_x在Ar/C中生长的薄膜₄F₈(黑色方块)和Ar/CF₄(红圈)。

另一方面，CF^３＋由AR / CF排放₄被确定为丰度非常高的物种。CF中有一个键^３＋及其中性对应物，所以它对不断增长没有大幅贡献电影交叉连接。

结论

C₄F₈对薄膜特性的可控性具有优势，以及CF₄涵盖各种适用的过程窗口（薄膜沉积和蚀刻）。CF的解离₄主要为CF_3.和F可用于表面处理和表面终止，导致低表面能。因此，CF中的rHiPIMS进程₄或c.₄F₈提供一种在碳的官能化中是通用的工具，以及碳基表面和薄膜。

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