对SI3N4和Si的SiO2的血浆蚀刻

四极质质量光谱已报道了独特的C中的显着中性和离子物种₅HF₇/o₂/AR血浆，包括C_XF_y（x> 2），c_XHF_y，c_XF_y（y/x <2）。使用c₅HF₇/o₂/AR等离子体，SIO的等离子体蚀刻₂相比₅F₈/o₂/AR等离子体。

分析的结果表明，该机制涉及在新的血浆中撞击富含C的氢氟化碳种类，以在SIN上产生较厚的C富含C含碳氟化合物膜。

实验

通过70EV的电势电离电离C₅F₈和c₅HF₇主要碎裂成c₃F₃和c₃HF₂， 分别。通过C的碎片模式检测到含H的物种₅HF₇通过用一个H原子代替一个F原子，即CF₂→CHF，C₂F₂→c₂HF，​​参见₃→CHF₂等等。图1显示了实验设备的示意图。

图1。实验设备的示意图

介电蚀刻的实际等离子体中的离解，电离和附着是由与麦克斯韦能量的电子碰撞触发的。对于实际C，这在具有和没有H原子的中性物种之间在气体化学上产生了巨大差异₅F₈/o₂/ar和c₅HF₇/o₂/AR等离子体。

当与量子化学计算结合使用时，结果（图2）显示C₅F₈→CF₂⁺C₄F₆作为环状C解离的主要途径₅F₈分子。此外，多次解离导致反应后碎裂较小。CF₂→CF⁺f或c₄F₆→c₃F₃⁺CF₃。这使得可以检测大量的CF分数₃，参见₂，CF，C₃F₃和每个相关的H占共生物种，包括CHF₃，CHF，CH和C₃HF₂。

图2。C中性的四极质量分析结果₅F₈/o2/ar或c₅HF₇/o₂/AR等离子体

作为入口四极质谱仪出现在商业化反应器的腔室壁上，只能获得有关闭合室壁的阳性组成的信息，不包括样品表面。

除了AR⁺，像CF这样的离子₃⁺，参见₂⁺，参见⁺是检测到的其他主要阳性离子物种。大分子离子的性质 - c_XF_y或c_XHF_y和Sio的选择性蚀刻₂薄膜是犯罪膜上富含C富碳纤维层的选择性形成的结果。

结论

这项研究主要集中于气体分子的表征以改善蚀刻。改善蚀刻性能的关键方面包括蚀刻轮廓控制，材料的选择性，蚀刻速率是与等离子化学特性一致的表面反应。

这使原料气体成为主要问题。在Sio的蚀刻中₂，选择的主要气体随着时间的流逝而改变，例如CF₄， C₂F₆， C₄F₈， C₄F₆，c₅F₈。另外，含H和O的物种，例如CHF₃，ch₂F₂， C₃F₆o，c₅F₁₀O等可以用作对照，考虑到血浆化学中使用的F原子的量。

研究人员强调了蚀刻特性与科学和工业应用的新气体化学之间关系的重要性。因此，他们正在进行持续研究，以通过确定气相和表面分析来解释蚀刻过程。

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