Dectris为Mythen和Pilatus3探测器家庭提供替代传感器，以获得高度X射线能量的最佳性能。
此外，对于包含宽X射线能量范围的标准450μm硅传感器，Dectris为Pilatus3和Mythen提供厚度为1000μm和320μm的硅传感器。
Pilatus3 X CDTE系列检测器提供的碲化镉传感器可提高能量范围至100keV。
为特定的应用选择合适的传感器
需要基于特定应用的典型X射线能量范围来选择传感器及其厚度。Dectris表明450μm标准硅传感器，适用于12.5kev低于X射线能量的所有应用。
硅传感器
硅传感器将X射线光子变换成电荷。在高能量应用的情况下，检测效率受到硅传感器厚度的限制。在高能的情况下，具有1000μm的大传感器厚度的高能传感器补偿了硅的低吸收效率。
来自Dectris的所有硅传感器都以公司的验证硅技术为基础，为Pilatus和Mythen探测器家庭的所有Dectris探测器提供，从Mythen 1K到Pilatus 6M。eiger探测器配有标准的450μm硅传感器。
高能传感器
为了实现高X射线能量的正确敏感性，1000μm硅传感器在10keV的能量下表现出改善的量子效率，同时保持Dectris探测器的众所周知的无噪声操作。1000μm硅传感器分别为Mo和Ag Ka辐射提供了76％和50％的非常好的量子效率。对于所有高能量应用，1000μm传感器提供的改进的X射线灵敏度是合适的。
低能量传感器
DECTRIS为低能耗应用提供320µm传感器。这些传感器允许最低可能的能量阈值，并提供特殊的低能量校准和真空解决方案。
图1中示出了320μm，450μm和1000μm传感器的量子效率（QE），450μm和1000μm传感器中所示的QR值在BESSY II的PTB实验室中确定，并完全匹配由计算推导的值。在高于10keV的高能量下，QE受传感器厚度的限制，并且对于较厚的传感器可显着提高。
表1为通常使用的X射线能量提供各种传感器的QE值。
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图1。在Bessy II的PTB实验室测量的320,450和1000μm传感器的量子效率。图像信用：Dectris Ltd.
表格1。典型X射线能量的量子效率
| 光子的能量 |
320μm |
450µm |
1000μm. |
| 5.4 kev（Cr） |
94％ |
94％ |
> 80％ |
| 8.0 kev（Cu） |
97％ |
98％ |
96% |
| 12.4 kev（1Å） |
72％ |
84％ |
97％ |
| 17.5 kev（mo） |
37％ |
47% |
76％ |
| 22.2 kev（AG） |
20％ |
27％ |
50 ％ |
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用于硬X射线辐射的碲化镉传感器
为了直接转换硬X射线辐射，Pilatus3 X Cdte检测器序列使用碲化镉（CDTE）晶体作为传感器材料，用于直接转化硬X射线辐射。通过该高Z半导体材料（带Z = 48，具有Z = 52）的CD提供非常好的停止功率，在高X射线能量下引起高检测效率。
CDTE材料由来自领先制造商的Dectris获得目前可用的最大尺寸。两个大型CDTE传感器构成每个Pilatus3 Cdte检测器模块，传感器尺寸为42×34mm，留在它们之间仅3倍间隙。1000μmCDTE厚度使高量子效率高达100keV硬X射线能量。
1000μm碲化镉传感器的QE如图2和表2所示，作为能量的函数。对于Pilatus3像素尺寸和几何形状，模拟QE值并在PTB实验室中在20至60keV的BESSY II中确定。通过测量确认了模拟推导的值。
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图2。PTB实验室在BESSY II的PTB实验室测量的pilatus3 x Cdte模块量子效率。图像信用：Dectris Ltd.
Qe中的QE中的下降是由于CD和TE k边缘上方的光子能量发生的荧光损失。QE被定量为设定为光子能量的50％的能量阈值。
表2。PILATUS3 CdTe传感器的量子效率。
| 光子的能量 |
CDTE1000μm |
| 20.0 Kev. |
> 90％ |
| 40.0 Kev. |
81％ |
| 60.0 Kev. |
90％ |
| 80.0 kev. |
77％ |
| 100.0 kev. |
56％ |
使用Dectris传感器的好处
使用Dectris传感器的优点是：
- 良好的数据质量
- 低能量的最佳性能
- 快速测量
- 提高了敏感度超过10kev
- 优越的传感器技术
- 所有传感器的无噪音光子计数操作
应用程序
Dectris传感器的应用是：
- 粉末衍射
- 漫射散射实验
- 非破坏性测试
- 临床前成像
- 配对函数分析
- 小分子结晶学
- 高压研究
- 真空萨克斯/ GI-SAXS / ASAXS
此信息已采购，从Dectris Ltd.提供的材料进行审核和调整亚博网站下载
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