金属有机化学气相淀积(金属)作品吗

的金属技术使非常薄层的原子沉积在半导体晶片,是制造业的关键过程III-V化合物半导体,特别是氮化镓(GaN)的半导体。

其他的名字金属的过程包括:有机金属化学气相沉积(OMCVD),有机金属汽相外延(OMVPE)和金属有机气相外延(MOVPE)。紧密耦合的莲蓬头^®和行星反应堆^®德国爱思强公司股价提供的技术是两个不同的技术对金属沉积过程。

紧密耦合莲蓬头^®技术

的紧密耦合莲蓬头^®技术(图1)允许垂直引入化学物质处理室,半导体晶体的形成发生的地方。类似于一个莲蓬头,气体引入到莲蓬头紧密耦合^®反应器是通过几个小气体通道反应器上限。这使得这个过程气体的均匀分布在整个晶片表面载体。附近的莲蓬头是定位非常激烈的晶片。

图1所示。紧密耦合莲蓬头^®55 x2英寸

行星反应堆^®技术

水平层流原理形成的基础行星反应堆^®技术(图2),气体引入到沉积室的过程是通过使用一个特殊的进气口(喷嘴)反应堆中心的天花板。气体经过高温半导体基板使用过程泵通过提取它们室边缘和流动的径向均匀室中心到边缘,导致化学分手和后续反应。

图2。行星反应堆^®56 x2英寸

通过气相扩散,所需的原子存款在晶片的表面。一个单独的旋转圆盘,上面放置晶片,允许将材料沉积在晶片的表面均匀。亚博网站下载可以修改的属性层沉积通过改变了气体,使设计和生产优质半导体层的原子尺度。

德国爱思强公司股价全年生产平台

是可能的集成行星反应堆^®和紧密耦合莲蓬头^®技术德国爱思强公司股价的平台,这有一个高度模块化和非常灵活的设计被称为一个集成的概念(IC)系统(图3)。平台系统的反应器内的沉积过程,允许半导体层的沉积在衬底表面在不同的温度高达1200°C左右。

图3。德国爱思强公司股价集成电路系统

金属化合物半导体的应用程序

III-V半导体或半导体化合物是由元素周期表的III和V组和有能力相互作用产生结晶化合物。他们在硅半导体在许多方面是有利的。的金属的过程用于制作这些化合物半导体的多层结构,然后加工成电子或光电设备,包括太阳能电池、高速晶体管、激光二极管和发光二极管。

复合半导体的生产涉及蒸发和运输所需的化学物质以及其他气体进入反应器,在化学物质反应形成所需的化合物半导体。在金属的过程,好剂量超纯气体的注入。德国爱思强公司股价金属化合物app亚博体育半导体制造商设备提供具有成本效益的生产解决方案,由于其存款较大的表面区域的能力。

外延是薄的发展,单一层放置在一个合适的衬底晶体。的金属的过程允许统一沉积超薄薄膜层低于1-nm-thick基质(图4)。

图4。这个图比较了平均人类头发直径的衬底上外延层。

激光二极管(图5)必须有原子锋利层接口和超高激光晶体质量的一代。晶体管(图6)是捏造出来的一块坚硬的半导体材料和由至少三个终端连接到外部电路。III-V晶体管是混合动力汽车的关键电子元器件和移动电话。

图5。激光二极管

图6。晶体管

太阳能电池(图7)使用光生伏打效应将太阳能转换为电能。目前,硅太阳能电池在市场上主要是可用的。制成的太阳能电池化合物半导体主要是用于卫星可以抵御辐射空间。他们现在可能利用地面聚光太阳能电池的应用程序。

图7。太阳能电池

led光源紧凑低热量和低功耗。这些特性使其具有成本效益和安全的替代传统照明设备。功率led能够提供数百流明输出。后金属沉积过程,由此产生的晶圆加工成LED芯片。基于芯片的大小,4000年到120000年LED芯片可以伪造一个4英寸晶片(图8)。

图8。这个图表解释了led的和它们是如何工作的。

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