温度对二氧化硅表面Zeta电位的影响

Malvern Panalytical，一家著名的材料和生物物理亚博网站下载表征公司，推出了Zetasizer纳米范围的仪器，配备表面zeta电位细胞附件。

这个附件是包含样品制备和校准工具的工具包(ZEN1020)的一部分，可以用来测量平坦的表面zeta电位(图1)。本文列举了使用表面zeta电位电池的温度对二氧化硅表面zeta电位的影响。

图1所示。表面zeta电位电池套件可用于Zetasizer纳米范围的仪器。

温度对表面Zeta电位的影响

样品夹置于表面zeta电位浸渍池的电极中间，待测表面固定在该样品夹上。接下来，将细胞浸入分散剂中，该分散剂包括位于方形试管中的示踪粒子，并放置在Zetasizer纳米仪器中。

使用放置在单元顶部的调节器，样品的垂直位置相对于检测光学发生偏移。当施加电场时，示踪粒子的运动将归因于来自壁的电渗透流和粒子的电泳迁移的结合。yabo214可以用一个简单的模型来描述这种运动，从而可以测量样品的表面zeta电位。

关于温度和表面zeta电位之间的关系，只进行了很少的研究，在已发表的结果中没有发现显著的一致。下面的方法显示了二氧化硅的表面电位是如何受到温度的影响。

方法和材料亚博网站下载

在本研究中，从未涂布的显微镜载玻片上切下二氧化硅样品，并将测试板样品切至4mm厚度。表面zeta电位电池电极之间的间距保持在1.5 mm宽，小于8.0mm长。

溶液如HCl, KOH和KCl从Sigma-Aldrich获得。对于示踪颗粒，咖啡恭维牛yabo214奶替代品的预分散形式Premier Foods英国。在pH7.0 +/-0.1 pH单位的1mM KCl中计算二氧化硅的表面zeta电位。

结果与讨论

由于测量温度，二氧化硅样品的表面ζ电位的结果如图2所示。将表面zeta电位结果归一化到25°C记录的值后，根据温度绘制。此外，该图还包括从其他研究中获得的二氧化硅表面的ζ电位值。

图2。本研究中使用的表面zeta电位附件的表面zeta电位(mV归一化到25°C记录的值)作为温度(°C)的函数绘图。从其他研究中获得的二氧化硅的表面电位值。

在这项研究中，数据预测了每°C表面zeta电位变化的斜率为0.34%。这与流动电位结果形成对比，后者得出的关联为1.75% /°C，但与利用毛细管电泳进行的一项新研究非常一致。毛细管电泳定量斜率为0.39% /°C。

几次测量后获得的误差棒表明，该技术可以在相对标准偏差(RSD)在5%到10%之间的温差下重现，并且不确定度不存在明显的增加。

整个细胞，即比色管、分散剂和表面ζ电位细胞淹没在仪器的细胞块中，由于整个仪器设置在相同的温度下，因此与其他方法相比，每个温度设置都不重要。

结论

本文通过Zetasizer纳米仪器提供的表面zeta电位电池附件，简要介绍了温度对二氧化硅表面zeta电位的影响。从这项研究中获得的结果估计，每°C的表面zeta电位变化斜率为0.34%。

这些信息已经从Malvern Panalytical提供的材料中获得，审查和改编。亚博网站下载

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