Quit打包启动系统级IC包性能

无线消费者设备如平板电脑、智能手机和电子书阅读器越来越受欢迎,并持续要求进一步改进多年来,IC性能也大有提高,然而包装电路技术达不到标记

最近,被称为Quilt打包的新技术演化,对降低成本和提升系统级IC打包性能大有希望加里教授亚博老虎机网登录伯恩斯泰因电工系纳诺科技中心圣母大学与研究生QuangingZheng等开发二维系统集成范式开发出高效芯片对芯片互连

带宽和热清除使用QP技术提高,从而确保提高性能和成本效益

安市EvidentLEXTOLS400NQ激光扫描卷缩显微镜团队选择支持开发过程,提供信息帮助实验室工作人员,微调编程过程并提供准确和可重复测量研究者需要3D成像,OLS4000由实验SEM选择,选择它代替stylus推分计,因为它提供快速3D和粗糙度测量

此外,还有可能用此工具测量临界斜坡底部,而另一方面,tylus提示无法触摸底部,因为它与侧墙相撞OLS4000使用短波长激光提供优异成像解析

Quit打包工程

QP基于成熟MEMS启发制造技术,实用简单使用这种方法,IC可分二维铺设,通过互连芯片互连,每对芯片间差数微数侧面短导结核横向穿透以便直接连接到匹配其他IC相联芯片阵列称裁剪

QP的好处如下:

  • 权重消散
  • 降低成本
  • 异式集成
  • 高输入输出密度
  • 高带宽插入量不超过0.1dB
  • 兼容当前打包技术及冷却程序

图1至图3显示,从10点到100点宽I/O结构已在NotreDame编译

生成QP互连显示深沉基底结核

图1生成QP互连显示深沉基底结核

一对组装芯片显示共平波导

图2一对组装芯片显示共平波导

积包芯片悬浮由tweezs支持

图3积包芯片悬浮由tweezs支持

测量Etch深度

QP比起传统IC制造多几步第一,结核战壕与硅结为NotreDame的基底通过执行5mins深反应IonEtching(DRIE)获取20微米深沟步态剖析结核战壕很容易快速精确测量s4000图4显示

测量表面粗糙性

结核战壕改换后,用电镀填充战壕,并用化学机械打扫消除负载yabo214抛光完成后,擦碎粒子(典型子微粒或抛光板中的反光粒子)可粘贴动画面并引起污染图5a、5b和表1显示OLS4000提供快速精度法测量表面粗度,用不到1min进行测量帮助确保最终产品实现预期效果

阶梯剖析结核战壕伸展步

图4阶梯剖析结核战壕伸展步

紧接CMP进程后表面粗糙度测量a)表面积测量结果紧接《议定书》/《公约》进程at/b)与CMP后清洗后相同的测量结果

(a)

紧接CMP进程后表面粗糙度测量a)表面积测量结果紧接《议定书》/《公约》进程at/b)与CMP后清洗后相同的测量结果

(b)

图5紧接CMP进程后表面粗糙度测量a)表面积测量结果紧接《议定书》/《公约》进程at/b)与CMP后清洗后相同的测量结果

表1激光相容显微镜数据为CMP前后清洗提供了表面粗度参数比较

表面粗糙度参数 后CMP清理前 后CMP清理
算术平均粗糙度 44纳米 13nm
峰对Valley粗糙Rz 243纳米 87纳米
根平方粗糙Rq 56纳米 17nm

测量垂直偏移

芯片干切分清理后并按图6所示组装问题产生时,两个芯片结核垂直偏移过大

电性能包受接触区极端变化影响结果,必须注意监测各种芯片结核间垂直偏移有可能获取表态和垂直偏移信息s4000显微镜以确保每一牌正确对齐

二维相片集芯片

图6二维相片集芯片

速度精确度

上头s4000在不同阶段使用,因为它不仅提供三维测量能力和精确表面粗度测量,而且还因为两类数据可比用其他工具更快地收集,因为显像镜捕捉图像并分秒执行测量,基于丁字形系统需要探针穿透远慢得多的表面。

显微镜的其他长处是高精度彩色成像及其易用性和便利性其它工具需要广泛培训,但Evice系统很容易学习使用方式研究团队目前正在开发方法,以扩大其功用和性能并提高其成本效益大规模实施

Indiana集成电路新开机化QP技术集成化、RF系统、高性能计算和其他应用

结论

高需求IC制造打包Bernstein实验室开发出芯片对芯片互连技术,称为Quilt打包,其中小金属结核从芯片边缘溢出帮助他们与超广带宽和低功率通信研究结果产生世界记录互连带宽度,插入损耗小于0.1dB从50MHz至100GHz团队目前正在开发广泛的商业应用

亚博网站下载这些信息取自EvidentCorporation-Industrial显微镜

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